三星推出基于HKMG的512GB DDR5 RAM模块

在业界首创中,三星推出了基于HKMG的DDR5内存单元。三星声称其新的RAM提供了DDR4速度的两倍,同时将功耗降低了13%。

三星的新型RAM模块基于HKMG技术

根据新闻稿,三星的新模块是“业界首个基于High-K Metal Gate(HKMG)工艺技术的512GB DDR5模块”。

这实质上意味着将用HKMG材料代替DRAM技术中使用的传统绝缘体。这直接转化为较低的电流泄漏以及13%的节能。

三星新的RAM单元将具有512GB的内存,速度最高可达每秒7200兆比特。

三星新的DDR5模块“可堆叠八层16Gb DRAM芯片,以提供最大的512GB容量。”这是通过硅穿孔(TSV)技术完成的,该技术“于2014年在三星首次推出DRAM时使用了256GB的服务器模块”。

此外,这并不是三星首次将HKMG整合到其存储单元中。早在2018年,该公司还在其GDDR6内存中使用了基于HKMG的流程。

三星的新内存旨在执行繁重的计算任务

三星表示,其新的RAM模块非常适合用于“超级计算,人工智能(AI)和机器学习(ML)以及数据分析应用程序”。

高性能的数字以及较低的功耗将使该芯片也非常适合数据中心。

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此外,英特尔还与“三星等内存领导者”合作,进一步开发了更快,更节能的DDR5内存。我们可能会看到针对即将推出的英特尔至强可扩展处理器量身定制的三星芯片。

但是,三星还希望其技术也可以用于医疗研究,自动驾驶和智慧城市等领域。

三星的新RAM可能适用于常规PC

虽然三星推出的RAM模块目前可能不适合家用计算机,但是基于HKMG的芯片的其他变体可能会在不久后进入消费市场。

三星的新闻稿还指出,该公司正在“对DDR5内存的不同版本进行采样”。这意味着该公司正在寻求扩大其新的基于HKMG的DDR5 RAM芯片的使用范围。

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节能和性能提升在游戏计算机中可能很有用。

希望到2022年,当AMD展示其可以支持DDR5的Zen 4系列处理器时,我们将在家用PC中使用这项新技术。