三星正在准备一些相当突破性的技术：在 CPU 或 GPU 上堆叠内存，以大幅提高性能。切换到此技术可能会影响性能、功效和容量。不幸的是，我们中的许多人永远不会直接体验到这一点的好处，因为三星将使用其高带宽内存（HBM），这意味着即使在最好的显卡中我们也找不到它。
该技术涉及一种新的 3D 封装方法，属于三星先进互连技术 (SAINT) 平台，最新版本被称为 SAINT-D。每个变体都涉及不同的 3D 堆叠技术，SAINT-S 将 SRAM 芯片堆叠在逻辑芯片顶部； SAINT-L 堆叠逻辑；最后，SAINT-D 将 HBM 内存堆叠在逻辑芯片（即 CPU 或 GPU）之上。
SAINT-D 将 HBM 垂直堆叠在处理器顶部，并通过两个芯片之间的基板将其连接。这与三星当前的 2.5D 封装方法相比是一个巨大的变化，后者通过硅中介层将 HBM 芯片与 GPU 水平连接。
3D 封装的引入可能是三星推出下一代 HBM4 的第一步。三星自己将 SAINT-D 称为“HPC 和 AI 的 DRAM 突破”。该公司还描述了使用该技术的好处，正如《韩国经济日报》所引用的那样：“3D 封装降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片的电信号质量。”
正如 2024 年三星代工论坛期间宣布的那样，该公司将提供全新 3D HBM 封装，作为交钥匙服务的一部分。这意味着三星将生产 HBM 芯片并将其集成到无晶圆厂公司的 GPU 上的端到端解决方案。据说 SAINT-D 将于今年首次亮相，而下一代 HBM4 模型将于 2025 年推出，这种新方法可能很快就会在 HPC 用例中引起轰动，包括各种 AI 用途。
三星的突破对消费者来说意义不大——目前还不是。顾名思义，HBM 内存用于高性能环境，最重要的是，据报道，这种 3D 封装技术的生产成本甚至比其前身还要昂贵。然而，3D VRAM 是一个有趣的概念。也许如果它在数据中心表现良好，有一天它可能会进入我们的个人电脑。