Galaxy S25 Edge 泄密称其不会省电,但这让我担心

Galaxy S25 Edge将成为三星近年来推出的最不寻常的手机之一。它违背了三星的传统设计理念,即无论价格范围如何,几乎没有什么因素可以将手机彼此区分开来。它也将成为三星多年来在不影响美观的情况下制造的最轻的旗舰产品之一。

更重要的是,Galaxy S25 Edge 并不是新发布的S25 系列之下的 FE 同等产品。它属于该系列,最近泄露的处理器也证明了这一点。然而,也有一些令人担忧的事情。

不削减电力

在三星 Galaxy S25 Ultra 上玩游戏。
安迪·博克索尔 / 数字趋势

Galaxy S25 Edge 最近出现在流行的 CPU 基准测试平台Geekbench上(来自Notebookcheck )。根据清单,这款轻薄手机将内置 Snapdragon 8 Elite 芯片组。

Geekbench 列表中的时钟速度表明,该手机采用了与最新 S 系列中其他手机相同的超频版本芯片组,并且还证明 S25 Edge 实际上使用的是 8 核变体,而不是据称为其他一些轻薄手机(例如即将推出的Oppo Find N5OnePlus Open 2)提供动力的稍弱的 7 核版本。

与上一代芯片 Snapdragon 8 Gen 3 相比, Snapdragon 8 Elite不仅采用了更复杂的架构,而且还提供了更好的性能。虽然这应该可以确保 Galaxy S25 Edge 不逊色于同类产品中的其他设备,而且大概也符合其价格范围,但该芯片可能会导致一些问题。

为什么芯片组让我担心

Galaxy S24 和 Galaxy S25 旁边的三星 Galaxy S25 Edge 侧面轮廓
三星在 Galaxy Unpacked 2025 活动上宣传 Galaxy S25 Edge 的纤薄性。 Nirave Gondhia / 数字趋势

高通在 Snapdragon 8 Elite 上部署了与之前用于Snapdragon X Elite相同的 Oryon 内核——该芯片适用于笔记本电脑,而不是移动设备。这意味着移动芯片功能强大,足以满足几乎所有 Android 系统进程或应用程序的需求。超频的“For Galaxy”版本特别适合稍微更好的 CPU 性能和 AI 处理,并且应该能够很好地满足未来几年设备上 AI 不断增长的需求。

然而,这样做的缺点是产生过多的热量,尽管功率很高,但仍可能导致热节流。节流是指硅级算法阻止芯片发挥最大性能以防止芯片过热和烧毁的情况。

虽然某些品牌(例如 OnePlus)不遗余力地使用专门的硬件(主要是蒸汽冷却室)来减少手机机身内部的热量积聚,但三星在这方面一直不太乐观。尽管 Galaxy S25 系列配备了均热板,但它并不像我们在 OnePlus 13 或其他一些不太受欢迎的中国产 Android 旗舰产品上看到的那样广泛。

OnePlus 13 均热板堆栈。
OnePlus 13 内部有多层散热层。一加

我们在Galaxy S25 Ultra 评测中看到了结果,尽管这款手机配备了更强大的芯片组,但与 OnePlus 13 相比,在 Geekbench 等综合基准测试中表现不佳。

我们在泄漏中看到的分数要低得多,并且由于两个原因可能会引起人们的关注。首先,最近的泄漏指出 Galaxy S25 Edge 内部的均热板将比我们在 Ultra 上看到的更小,这表明性能较低。其次,这款手机的设计比 Galaxy S25 系列更薄,这进一步限制了手机内部产生的热量散发到较冷区域的物理空间,这可能会让事情变得更糟。

所有的希望都没有失去

三星 Galaxy S25 Edge 与 Galaxy S24 和 Galaxy S25 模具相邻
Nirave Gondhia / 数字趋势

人们仍然希望三星能够优化设计,以控制 Galaxy S25 Edge 的温度,同时又不会让这头猛兽窒息,特别是因为泄漏对应的是预发布的设备,从而导致了一些错误。除此之外,Geekbench 列表并不是 100% 可靠,如果您知道如何修改 Android 源代码,则可能会被欺骗。

最好假设我们会确切地知道这款手机将在未来几个月内推出。另一个 传言称 Galaxy S25 Edge 将于 2025 年第二季度推出,可能是 4 月、5 月或 6 月中的任何一个月。我们将不得不再等待几周甚至几个月才能确切地知道发布日期。


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